HGST與納米印刷令硬盤單碟容量翻倍

westerndigital旗下hgst1日宣布，已通過(guò)將融合self-assemblingmolecules(分子自組裝)和nanoimprinting(納米印刷)技術(shù)，成功創(chuàng)造出大面積高密度存儲(chǔ)介質(zhì)，其magneticislands磁島寬度只有10nm，是目前硬盤技術(shù)的兩倍，可望于未來(lái)數(shù)年內(nèi)大幅提高機(jī)械硬盤的存儲(chǔ)密度，讓單碟容量可望提升。
據(jù)hgst表示，新技術(shù)能夠讓magneticislands磁島寬度只相當(dāng)于大約50個(gè)原子寬，或者人類頭發(fā)絲的十萬(wàn)分之一。其中，自組裝分子使用的雜化聚合物，為互相排斥的段組成的嵌段共聚物，表面上作為薄膜涂層，聚合物鏈段的大小決定的行間距，結(jié)合轉(zhuǎn)換為模板的納米壓印，將納米尺度模式到一個(gè)芯片或磁盤基板的模式，令magneticislands磁島寬度只有10nm。
hgst還提供了路線圖，指出如何經(jīng)濟(jì)有效地提遠(yuǎn)遠(yuǎn)升磁島密度，無(wú)需使用任何傳統(tǒng)的光刻技術(shù)便可令硬盤尺寸更小。目前hgst實(shí)驗(yàn)室已測(cè)試出其出色的讀寫速度和數(shù)據(jù)保存能力，擴(kuò)展到整個(gè)硬盤之后，將可望達(dá)到超過(guò)一萬(wàn)億個(gè)磁島，進(jìn)而降低晶格介質(zhì)(bit-patternedmedia)的成本，并可望于未來(lái)數(shù)年內(nèi)大幅度提高機(jī)械硬盤的存儲(chǔ)密度。
此外，據(jù)hgstresearch副總裁curriemunce表示，新興的自組裝分子和納米壓印技術(shù)將產(chǎn)生巨大的影響，使納米制造成為一個(gè)成本效益的方式，并增加在磁性硬盤驅(qū)動(dòng)器上的數(shù)據(jù)密度。


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